SI2343CDS-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI2343CDS-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI2343CDS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2343CDS-T1-GE3 RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 5.9 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.045 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Forward Transconductance gFS (Max / Min): 10 S Gate Charge Qg: 13.6 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.5 W Part # Aliases: SI2343CDS-GE3
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2343CDS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 107,29 KB